鋁合金電阻測試儀電阻測量范圍： 
1、電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電   阻：1×10-5～2×105Ω

電導率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  小1μΩ
測量誤差±5%
2、測量電壓量程： 2mV   20mV  200mV 2V 
   測量精度±（0.1%讀數）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
3、⑴電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續可調，由交流電源供電。
   ⑵量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 
   ⑶誤差：±0.2%讀數±2字

4. 主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm

5、顯示方式：液晶顯示6、電源：220±10% 50HZ/60HZ

7、標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數據線一套。

廣泛用于：覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試

硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導電薄膜（ITO導電膜玻璃等），金屬膜，導電漆膜，蒸發鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質的薄層電阻與電阻率  導電性油漆，導電性糊狀物，導電性塑料，導電性橡膠，導電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI 防護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等

按照硅片電阻率測量的標準（ASTM F84）及國家標準設計制造該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準，本機配置232電腦接口及USB兩種接口，本機結合采用范德堡測量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應、探針不等距和機械游移等外部因素對測量結果的影響及誤差，比市場上其他普通的四探針測試方法更加完善和進步,特別是方塊電阻值較小的產品測量，更加準確.

四端測試法是目前較先進之測試方法，主要針對高精度要求之產品測試；本儀器廣泛用于生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。

為測定表面電阻率，試樣的形狀不限，只要允許使用第三電極來抵消體積效應引起的誤差即可。推薦使用圖2及圖3所示的三電極裝置。用電極1作為被保護電極，電極3作為保護電極，電極2作為不 保護電極?？芍苯訙y量電極1和2之間表面間隙的電阻。這樣測得的電阻包括了電極1和2之間的表面電阻和這兩個電極間的體積電阻。然而，對于很寬范圍的環境條件和材料性能，當電極尺寸合適時， 體積電阻的影響可忽略不計。為此，對于圖2和圖3所示的裝置，電極的間隙寬度g至少應為試樣厚度 的2倍，一般說來，1mm為切實可行的 小間隙。被保護電極尺寸d1（或長度l1）應至少為試樣厚度h 的10倍，通常至少為25mm。

也可以使用條形電極或具有合適尺寸的其他裝置。

注：由于通過試樣內層的電流的影響，表面電阻率的計算值與試樣和電極的尺寸有很大的關系，因此，為了測定時可進行比較，推薦使用與圖2所示的電極裝置的尺寸相一致的試樣，其中d1= 50 mm, d2 = 60 mm, ds = 80 mm,

化導致的電流變化與被測電流相比可忽略不計。

加到整個試樣上的試驗電壓通常規定為100V、250V、500V、1000 V、2500 V、5000 V, 10000 V 和15000 V。 常用的電壓是100V、500V和1000 V。

在某些情況下，試樣的電阻與施加電壓的極性有關

如果電阻是與極性有關的，則宜加以注明。取兩次電阻值的幾何平均值（對數算術平均值的反對 數）作為結果。

由于試樣電阻可能與電壓有依存關系，因此應在報告中注明試驗電壓值。

四端測試法是目前較先進之測試方法，主要針對高精度要求之產品測試；本儀器廣泛用于生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。

鋁合金電阻測試儀源

要求有很穩定的直流電壓源。這可用蓄電油或一個整流穩壓的電摞來提供。對電源的穩定度要求 是由電壓變表面電阻率

配套方案：解決各材料狀態 --固態、液態、氣態、顆粒狀 電阻、電阻率、電導率測量。